BSS214N H6327参数:MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:OptiMOS™包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):140 毫欧 @ 1.5A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 3.7µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.8nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):143pF @ 10V功率 - 最大值:500mW安装类型:表面贴装封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:PG-SOT23-3